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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTD543ZETL_双极晶体管
DTD543ZETL
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

双极晶体管

+20:

¥1.363104

+100:

¥1.158624

+300:

¥0.954144

+800:

¥0.783792

+3000:

¥0.681552

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 140 100mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 260 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-75,SOT-416

供应商器件封装: EMT3

温度:

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DTD543ZETL_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

双极晶体管

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¥0.308308

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 140 100mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 260 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-75,SOT-416

供应商器件封装: EMT3

温度:

自营 国内现货
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DTD543ZETL_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

双极晶体管

+3000:

¥0.750371

+6000:

¥0.708685

+15000:

¥0.646191

+30000:

¥0.604502

+75000:

¥0.589916

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 140 100mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 260 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-75,SOT-416

供应商器件封装: EMT3

温度:

Digi-Key
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DTD543ZETL_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

双极晶体管

+3000:

¥1.29664

+6000:

¥1.224605

+15000:

¥1.116614

+30000:

¥1.044578

+75000:

¥1.019372

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 140 100mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 260 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-75,SOT-416

供应商器件封装: EMT3

温度:

DTD543ZETL_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

双极晶体管

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¥5.807329

+10:

¥4.398743

+100:

¥2.736859

+500:

¥1.872925

+1000:

¥1.440713

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-75, SOT-416

供应商器件封装: EMT3

DTD543ZETL_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

双极晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-75, SOT-416

供应商器件封装: EMT3

Mouser
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DTD543ZETL_晶体管
DTD543ZETL
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 140 100mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 260 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-75,SOT-416

供应商器件封装: EMT3

温度:

DTD543ZETL参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V
电阻器 - 基极 (R1): 4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 140 100mA,2V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 260 MHz
功率 - 最大值: 150 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-75,SOT-416
供应商器件封装: EMT3
温度: