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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DDTD122TU-7-F_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

双极晶体管

+3000:

¥0.34233

+6000:

¥0.296091

+15000:

¥0.24556

+30000:

¥0.24121

+75000:

¥0.21666

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 220 Ohms

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 200 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: SOT-323

温度:

Digi-Key
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DDTD122TU-7-F_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

双极晶体管

+3000:

¥0.591545

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¥0.511643

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¥0.424327

+30000:

¥0.41681

+75000:

¥0.374388

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 220 Ohms

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 200 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: SOT-323

温度:

DDTD122TU-7-F_双极晶体管
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TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

双极晶体管

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¥3.953928

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¥3.224922

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¥2.693614

+100:

¥1.318387

+250:

¥1.296888

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: SOT-323

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系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: SOT-323

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晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: SOT-323

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¥2.668901

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系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: SOT-323

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晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

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品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 220 Ohms

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 200 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: SOT-323

温度:

DDTD122TU-7-F参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
晶体管类型: NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 220 Ohms
电阻器 - 发射极 (R2): -
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)
频率 - 跃迁: 200 MHz
功率 - 最大值: 200 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-70,SOT-323
供应商器件封装: SOT-323
温度: