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	DTA124EETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+20：￥0.828487 +100：￥0.561319 +800：￥0.187671 +3000：￥0.105754 +6000：￥0.10043	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

自营现货库存

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	DTA124EETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+20：￥0.16981 +200：￥0.136919 +600：￥0.11867 +3000：￥0.103372 +9000：￥0.093865	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

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	DTA124EETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.201586	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

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	DTA124EETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.782324 +200：￥0.261276 +1500：￥0.163457 +3000：￥0.112521 +45000：￥0.111827	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：
	DTA124EETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.534129 +25：￥0.448811 +100：￥0.380049 +1000：￥0.327724 +3000：￥0.282576	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

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	DTA124EETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 下载数据手册	+1：￥1.555373 +100：￥0.899078 +1500：￥0.569894 +3000：￥0.412128	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

自营国内现货

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	DTA124EETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.231331 +6000：￥0.201162 +15000：￥0.170994 +30000：￥0.160918 +75000：￥0.150842	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

Digi-Key

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	DTA124EETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.618677 +6000：￥0.552587 +9000：￥0.518778 +15000：￥0.480837 +21000：￥0.458348	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：
	DTA124EETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥3.059728 +10：￥1.881732 +100：￥1.167286 +500：￥0.851829 +1000：￥0.749481	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： Out of Bounds 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-75, SOT-416 供应商器件封装： EMT3
	DTA124EETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥3.059728 +10：￥1.881732 +100：￥1.167286 +500：￥0.851829 +1000：￥0.749481	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： Out of Bounds 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-75, SOT-416 供应商器件封装： EMT3

DTA124EETL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	30 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50 V
电阻器 - 基极 (R1):	22 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):	22 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	56 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	250 MHz
功率 - 最大值:	150 mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SC-75，SOT-416
供应商器件封装:	EMT3
温度: