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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DTC623TKT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 下载数据手册双极晶体管	+20：￥0.993047 +100：￥0.670945 +800：￥0.491623 +3000：￥0.358523 +6000：￥0.340373	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 20 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 820 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 150mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）频率 - 跃迁： 150 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度：

自营现货库存

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	DTC623TKT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 下载数据手册未分类	+10：￥0.351426 +100：￥0.282175 +300：￥0.24755 +3000：￥0.221582	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 20 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 820 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 150mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）频率 - 跃迁： 150 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度：

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	DTC623TKT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.971267	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 20 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 820 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 150mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）频率 - 跃迁： 150 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度：

自营国内现货

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	DTC623TKT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.565256 +6000：￥0.533809 +15000：￥0.486752 +30000：￥0.455305 +75000：￥0.444366	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 20 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 820 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 150mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）频率 - 跃迁： 150 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DTC623TKT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥1.382767 +6000：￥1.305838 +15000：￥1.190725 +30000：￥1.113796 +75000：￥1.087037	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 20 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 820 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 150mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）频率 - 跃迁： 150 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度：
	DTC623TKT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥6.271367 +10：￥4.682621 +100：￥2.91967 +500：￥1.997362 +1000：￥1.536346	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3
	DTC623TKT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥6.271367 +10：￥4.682621 +100：￥2.91967 +500：￥1.997362 +1000：￥1.536346	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DTC623TKT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 下载数据手册未分类	+1：￥6.390232 +10：￥4.771374 +100：￥2.982108 +500：￥2.044874 +1000：￥1.576257	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 20 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 820 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 150mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）频率 - 跃迁： 150 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度：

DTC623TKT146参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	600 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	20 V
电阻器 - 基极 (R1):	2.2 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):	-
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	820 50mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	150mV 2.5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA（ICBO）
频率 - 跃迁:	150 MHz
功率 - 最大值:	200 mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装:	SMT3
温度: