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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.020331 +10：￥0.979847 +100：￥0.882673 +500：￥0.834085	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1281 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.317029 +200：￥1.566829 +500：￥1.150105 +2000：￥0.833448 +4000：￥0.791824	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1281 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥2.121856 +50：￥1.803626 +150：￥1.485275 +500：￥1.32616 +2000：￥1.220043	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1281 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.240976	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1281 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 下载数据手册未分类	+2000：￥0.866077	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1281 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 下载数据手册未分类	+4000：￥1.023717 +40000：￥0.982716	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1281 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 下载数据手册未分类	+10：￥0.834656 +100：￥0.74886 +500：￥0.713236 +1000：￥0.699218 +2000：￥0.678875	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1281 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥0.793437	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1281 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.426194 +100：￥1.097661 +1000：￥0.915565 +2000：￥0.762759 +30000：￥0.758939	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1281 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥0.656422 +6000：￥0.629147 +10000：￥0.566244 +50000：￥0.52425 +100000：￥0.51911	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1281 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMG7430LFG-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	11 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	26.7 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1281 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	900mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PowerDI3333-8
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 下载数据手册未分类	+2000：￥0.866077	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1281 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 下载数据手册未分类	+4000：￥1.023717 +40000：￥0.982716	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1281 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 下载数据手册未分类	+10：￥0.834656 +100：￥0.74886 +500：￥0.713236 +1000：￥0.699218 +2000：￥0.678875	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1281 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥0.793437	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1281 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.426194 +100：￥1.097661 +1000：￥0.915565 +2000：￥0.762759 +30000：￥0.758939	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1281 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）