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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3023L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.045977 +10：￥1.886124 +30：￥1.854156 +100：￥1.758251	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 873 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN3023L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.772 +100：￥2.054016 +200：￥1.585584 +500：￥1.3464 +800：￥1.21104	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 873 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN3023L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.917906	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 873 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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DMN3023L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.622687	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 873 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3023L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.251509 +200：￥0.863357 +1500：￥0.785448 +3000：￥0.733471 +45000：￥0.727336	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 873 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3023L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.675011 +6000：￥0.663783 +9000：￥0.652437 +12000：￥0.641209	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 873 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3023L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.041863 +10：￥0.967544 +100：￥0.94057 +500：￥0.902948 +1000：￥0.868219	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 873 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3023L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.661931	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 873 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3023L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.688787	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 873 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMN3023L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.730626 +6000：￥0.700268 +9000：￥0.630248 +30000：￥0.620946 +75000：￥0.583593	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 873 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN3023L-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	25 毫欧 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.8V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	18.4 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	873 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	900mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN3023L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.622687	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 873 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3023L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.251509 +200：￥0.863357 +1500：￥0.785448 +3000：￥0.733471 +45000：￥0.727336	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 873 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3023L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.675011 +6000：￥0.663783 +9000：￥0.652437 +12000：￥0.641209	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 873 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3023L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.041863 +10：￥0.967544 +100：￥0.94057 +500：￥0.902948 +1000：￥0.868219	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 873 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3023L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.661931	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 873 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3023L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.688787	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 873 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）