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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTC114YUBHZGTL_双极晶体管
DTC114YUBHZGTL
授权代理品牌

NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI

双极晶体管

+5:

¥1.199923

+50:

¥0.981378

+150:

¥0.88784

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压 + 二极管

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): -

电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTC114YUBHZGTL_双极晶体管
授权代理品牌

NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI

双极晶体管

+3000:

¥0.388474

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压 + 二极管

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): -

电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度:

DTC114YUBHZGTL_双极晶体管
授权代理品牌

NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI

双极晶体管

+1:

¥2.100524

+10:

¥1.952251

+25:

¥1.853404

+100:

¥0.815497

+250:

¥0.782878

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

晶体管类型: NPN - Pre-Biased + Diode

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

DTC114YUBHZGTL_双极晶体管
授权代理品牌

NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI

双极晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

晶体管类型: NPN - Pre-Biased + Diode

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTC114YUBHZGTL_晶体管
DTC114YUBHZGTL
授权代理品牌

NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI

晶体管

+:

+:

+:

+:

+:

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压 + 二极管

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): -

电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度:

DTC114YUBHZGTL参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN - 预偏压 + 二极管
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): -
电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): -
频率 - 跃迁: 250 MHz
功率 - 最大值: 200 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-85
供应商器件封装: UMT3F
温度: