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DTC115EETL_双极晶体管
DTC115EETL
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

双极晶体管

+20:

¥0.179533

+200:

¥0.145096

+600:

¥0.125965

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 100 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 100 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-75,SOT-416

供应商器件封装: EMT3

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTC115EETL_未分类
DTC115EETL
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

未分类

+1:

¥1.079181

+100:

¥0.623751

+1500:

¥0.395458

+3000:

¥0.285948

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 100 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 100 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-75,SOT-416

供应商器件封装: EMT3

温度:

DTC115EETL_未分类
DTC115EETL
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

未分类

+500:

¥0.369424

+1000:

¥0.35003

+2000:

¥0.320835

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 100 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 100 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-75,SOT-416

供应商器件封装: EMT3

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTC115EETL_null
DTC115EETL
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

+1:

¥1.293408

+100:

¥0.747504

+1500:

¥0.473904

+3000:

¥0.34272

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 100 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 100 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-75,SOT-416

供应商器件封装: EMT3

温度:

自营 国内现货
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DTC115EETL_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

双极晶体管

+3000:

¥0.470153

+6000:

¥0.423166

+15000:

¥0.376108

+30000:

¥0.352615

+75000:

¥0.332656

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 100 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 100 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-75,SOT-416

供应商器件封装: EMT3

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTC115EETL_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

双极晶体管

+3000:

¥0.812423

+6000:

¥0.731228

+15000:

¥0.649914

+30000:

¥0.609318

+75000:

¥0.574828

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 100 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 100 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-75,SOT-416

供应商器件封装: EMT3

温度:

DTC115EETL_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

双极晶体管

+1:

¥4.191446

+10:

¥3.161549

+100:

¥1.787953

+500:

¥1.184144

+1000:

¥0.907868

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-75, SOT-416

供应商器件封装: EMT3

DTC115EETL_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

双极晶体管

+1:

¥4.191446

+10:

¥3.161549

+100:

¥1.787953

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¥1.184144

+1000:

¥0.907868

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-75, SOT-416

供应商器件封装: EMT3

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTC115EETL_未分类
DTC115EETL
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

未分类

+1:

¥5.670354

+10:

¥4.284267

+100:

¥2.425652

+500:

¥1.6066

+1000:

¥1.244328

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 100 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 100 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-75,SOT-416

供应商器件封装: EMT3

温度:

DTC115EETL参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 100 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 100 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250 MHz
功率 - 最大值: 150 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-75,SOT-416
供应商器件封装: EMT3
温度: