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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTC015TEBTL_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F

双极晶体管

+3000:

¥0.206077

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 100 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-89,SOT-490

供应商器件封装: EMT3F(SOT-416FL)

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTC015TEBTL_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F

双极晶体管

+3000:

¥0.356101

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 100 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-89,SOT-490

供应商器件封装: EMT3F(SOT-416FL)

温度:

DTC015TEBTL_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F

双极晶体管

+1:

¥1.976964

+10:

¥1.779268

+25:

¥1.700189

+100:

¥0.74754

+250:

¥0.717637

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-89, SOT-490

供应商器件封装: EMT3F (SOT-416FL)

DTC015TEBTL_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F

双极晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-89, SOT-490

供应商器件封装: EMT3F (SOT-416FL)

Mouser
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DTC015TEBTL_晶体管
DTC015TEBTL
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 100 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-89,SOT-490

供应商器件封装: EMT3F(SOT-416FL)

温度:

DTC015TEBTL参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 100 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): -
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 5mA,10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)
频率 - 跃迁: 250 MHz
功率 - 最大值: 150 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-89,SOT-490
供应商器件封装: EMT3F(SOT-416FL)
温度: