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DTC024EUBTL_双极晶体管
DTC024EUBTL
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F

双极晶体管

+20:

¥0.802593

+100:

¥0.542443

+800:

¥0.181258

+3000:

¥0.102608

+6000:

¥0.097405

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 60 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 500µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度:

自营 现货库存
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DTC024EUBTL
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F

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¥0.437399

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¥0.362414

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¥0.324922

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¥0.296803

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¥0.274308

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 60 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 500µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度:

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DTC024EUBTL_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F

双极晶体管

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¥0.284592

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 60 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 500µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度:

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DTC024EUBTL_null
DTC024EUBTL
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TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F

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¥0.86832

+100:

¥0.50184

+1500:

¥0.31824

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¥0.230112

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 60 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 500µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度:

自营 国内现货
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DTC024EUBTL_双极晶体管
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TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F

双极晶体管

+3000:

¥0.305588

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¥0.212555

+75000:

¥0.199282

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 60 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 500µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度:

Digi-Key
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DTC024EUBTL_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F

双极晶体管

+3000:

¥0.747547

+6000:

¥0.649993

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¥0.487496

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 60 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 500µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度:

DTC024EUBTL_双极晶体管
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双极晶体管

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¥4.320275

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库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

DTC024EUBTL_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F

双极晶体管

+1:

¥4.320275

+10:

¥3.49803

+100:

¥1.852144

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¥1.218598

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¥0.828797

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTC024EUBTL_未分类
DTC024EUBTL
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F

未分类

+1:

¥4.739476

+10:

¥3.677179

+100:

¥1.372813

+1000:

¥0.980582

+3000:

¥0.800808

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 60 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 500µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度:

DTC024EUBTL参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 22 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 60 5mA,10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 500µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): -
频率 - 跃迁: 250 MHz
功率 - 最大值: 200 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-85
供应商器件封装: UMT3F
温度: