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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTC115TETL_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

双极晶体管

+3000:

¥0.470716

+6000:

¥0.409294

+15000:

¥0.347872

+30000:

¥0.327421

+75000:

¥0.30697

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 100 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 100µA, 1mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA (ICBO)

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-75, SOT-416

供应商器件封装: EMT3

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTC115TETL_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

双极晶体管

+3000:

¥0.813396

+6000:

¥0.707258

+15000:

¥0.601122

+30000:

¥0.565782

+75000:

¥0.530443

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 100 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 100µA, 1mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA (ICBO)

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-75, SOT-416

供应商器件封装: EMT3

温度:

DTC115TETL_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

双极晶体管

+1:

¥4.695288

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¥3.805654

+100:

¥2.015268

+500:

¥1.326046

+1000:

¥0.901742

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-75, SOT-416

供应商器件封装: EMT3

DTC115TETL_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

双极晶体管

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货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-75, SOT-416

供应商器件封装: EMT3

Mouser
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DTC115TETL_晶体管
DTC115TETL
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 100 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 100µA, 1mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA (ICBO)

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-75, SOT-416

供应商器件封装: EMT3

温度:

DTC115TETL参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
晶体管类型: NPN - Pre-Biased
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 100 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): -
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA, 5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 100µA, 1mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA (ICBO)
频率 - 跃迁: 250 MHz
功率 - 最大值: 150 mW
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: SC-75, SOT-416
供应商器件封装: EMT3
温度: