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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DDTC143EE-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 下载数据手册双极晶体管	+10：￥2.313504 +100：￥1.966464 +200：￥1.619424 +300：￥1.445904 +800：￥1.330272	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-523 供应商器件封装： SOT-523 温度：

自营现货库存

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	DDTC143EE-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 下载数据手册未分类	+10：￥0.247267 +100：￥0.202509 +300：￥0.177643 +3000：￥0.162724 +6000：￥0.149794	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-523 供应商器件封装： SOT-523 温度：

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	DDTC143EE-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 下载数据手册未分类	+1：￥1.105425 +30：￥0.432769 +100：￥0.213539 +500：￥0.152514 +1500：￥0.127112	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-523 供应商器件封装： SOT-523 温度：

自营国内现货

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	DDTC143EE-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.419157 +6000：￥0.364484 +15000：￥0.309812 +30000：￥0.291587 +75000：￥0.273363	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-523 供应商器件封装： SOT-523 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DDTC143EE-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.724302 +6000：￥0.629827 +15000：￥0.535352 +30000：￥0.503862 +75000：￥0.47237	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-523 供应商器件封装： SOT-523 温度：
	DDTC143EE-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 下载数据手册双极晶体管	+1：￥4.190862 +10：￥3.388612 +100：￥1.794887 +500：￥1.180866 +1000：￥0.80297	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-523 供应商器件封装： SOT-523
	DDTC143EE-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 下载数据手册双极晶体管	+1：￥4.190862 +10：￥3.388612 +100：￥1.794887 +500：￥1.180866 +1000：￥0.80297	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-523 供应商器件封装： SOT-523

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DDTC143EE-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 下载数据手册未分类	+1：￥5.82705 +10：￥4.724636 +100：￥2.504057 +500：￥1.653622 +1000：￥1.133913	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-523 供应商器件封装： SOT-523 温度：

DDTC143EE-7-F参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50 V
电阻器 - 基极 (R1):	4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):	4.7 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	20 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	250 MHz
功率 - 最大值:	150 mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-523
供应商器件封装:	SOT-523
温度: