DMN5L06WK-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 DMN5L06WK-7 共 6 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN5L06WK-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3 下载数据手册未分类	+5：￥9.320961 +50：￥7.944125 +150：￥7.190144 +500：￥6.064635 +3000：￥5.68218	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250mW（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -65°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN5L06WK-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.743295 +6000：￥0.702035	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250mW（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -65°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN5L06WK-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.28441 +6000：￥1.213114	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250mW（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -65°C # 150°C（TJ）
DMN5L06WK-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.807332 +10：￥4.349321 +100：￥2.710912 +500：￥1.855381 +1000：￥1.42712	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -65°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： SOT-323
DMN5L06WK-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.028899 +50：￥0.784908 +150：￥0.740094 +500：￥0.695279 +2500：￥0.675362	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -65°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： SOT-323

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN5L06WK-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3 下载数据手册未分类	+1：￥5.986408 +10：￥4.57144 +100：￥2.857149 +500：￥1.959188 +1000：￥1.510207	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250mW（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -65°C # 150°C（TJ）

DMN5L06WK-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	300mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2 欧姆 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	50 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	250mW（Ta）
工作温度:	-65°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-323
封装/外壳:	SC-70，SOT-323
温度:	-65°C # 150°C（TJ）