 | DMG3401LSN-7 | MOSFET P-CH 30V 3A SC59 未分类 | | | 品牌： Diodes Incorporated 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1326 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： SC-59-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| DMG3401LSN-7 | MOSFET P-CH 30V 3A SC59 未分类 | | | 品牌： Diodes Incorporated 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1326 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： SC-59-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| DMG3401LSN-7 | | | | 品牌： Diodes Incorporated 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1326 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： SC-59-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| DMG3401LSN-7 | | | | 品牌： Diodes Incorporated 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1326 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： SC-59-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| DMG3401LSN-7 | | | | 品牌： Diodes Incorporated 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1326 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： SC-59-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| DMG3401LSN-7 | | | | 品牌： Diodes Incorporated 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1326 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： SC-59-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| DMG3401LSN-7 | | | | 品牌： Diodes Incorporated 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1326 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： SC-59-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
