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	DDTD114EC-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.309285 +10：￥0.285503 +30：￥0.280741 +100：￥0.266464	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 温度：

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	DDTD114EC-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 下载数据手册双极晶体管	+20：￥0.57596 +100：￥0.43076 +800：￥0.33396 +3000：￥0.242 +15000：￥0.2178	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 温度：

自营现货库存

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	DDTD114EC-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 下载数据手册双极晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 温度：

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	DDTD114EC-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.216106 +100：￥0.202917	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 温度：

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	DDTD114EC-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 下载数据手册未分类	+3000：￥0.303339	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 温度：
	DDTD114EC-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥0.463862 +50：￥0.31683 +1500：￥0.283629 +3000：￥0.255909 +18000：￥0.251272	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 温度：

自营国内现货

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	DDTD114EC-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.312492 +6000：￥0.271711 +15000：￥0.230984 +30000：￥0.217391 +75000：￥0.203797	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 温度：

Digi-Key

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	DDTD114EC-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.764438 +6000：￥0.664675 +15000：￥0.565049 +30000：￥0.531795 +75000：￥0.49854	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 温度：
	DDTD114EC-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥4.343393 +10：￥3.569726 +100：￥1.894804 +500：￥1.246283 +1000：￥0.847505	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3
	DDTD114EC-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥4.343393 +10：￥3.569726 +100：￥1.894804 +500：￥1.246283 +1000：￥0.847505	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3

DDTD114EC-7-F参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	500 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50 V
电阻器 - 基极 (R1):	10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):	10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	56 50mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 2.5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	200 MHz
功率 - 最大值:	200 mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装:	SOT-23-3
温度: