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DTD114ECHZGT116_双极晶体管
DTD114ECHZGT116
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 500MA SST3

双极晶体管

+5:

¥2.62691

+50:

¥1.751233

+150:

¥1.459381

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压 + 二极管

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): -

电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 50mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 200 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SST3

温度:

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DTD114ECHZGT116_null
DTD114ECHZGT116
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 500MA SST3

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¥1.628496

+100:

¥0.923328

+1000:

¥0.565056

+3000:

¥0.427248

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压 + 二极管

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): -

电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 50mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 200 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SST3

温度:

自营 国内现货
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DTD114ECHZGT116_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 500MA SST3

双极晶体管

+3000:

¥0.284084

+6000:

¥0.24702

+15000:

¥0.209956

+30000:

¥0.197638

+75000:

¥0.185264

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压 + 二极管

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): -

电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 50mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 200 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SST3

温度:

Digi-Key
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DTD114ECHZGT116_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 500MA SST3

双极晶体管

+3000:

¥0.728982

+6000:

¥0.652947

+9000:

¥0.614089

+15000:

¥0.570334

+21000:

¥0.544479

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压 + 二极管

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): -

电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 50mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 200 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SST3

温度:

DTD114ECHZGT116_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 500MA SST3

双极晶体管

+1:

¥3.518686

+10:

¥2.187705

+100:

¥1.361578

+500:

¥0.997778

+1000:

¥0.879672

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

晶体管类型: NPN - Pre-Biased + Diode

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: SST3

DTD114ECHZGT116_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 500MA SST3

双极晶体管

+1:

¥3.518686

+10:

¥2.187705

+100:

¥1.361578

+500:

¥0.997778

+1000:

¥0.879672

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

晶体管类型: NPN - Pre-Biased + Diode

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: SST3

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTD114ECHZGT116_未分类
DTD114ECHZGT116
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 500MA SST3

未分类

+1:

¥3.15075

+10:

¥2.072862

+100:

¥0.928642

+1000:

¥0.829145

+3000:

¥0.630151

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压 + 二极管

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): -

电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 50mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 200 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SST3

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTD114ECHZGT116_未分类
DTD114ECHZGT116
授权代理品牌

晶体管, AEC-Q101, NPN, 10K/10K, SOT-23

未分类

+5:

¥2.302464

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¥1.397001

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¥0.62865

+500:

¥0.519996

+1000:

¥0.41134

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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DTD114ECHZGT116_未分类
DTD114ECHZGT116
授权代理品牌
+50:

¥1.335322

+100:

¥0.523408

+200:

¥0.48832

+500:

¥0.445433

库存: 0

货期:7~10 天

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DTD114ECHZGT116_未分类
DTD114ECHZGT116
授权代理品牌

TRANS, AEC-Q101, NPN, 10K/10K, SOT-23

未分类

+5:

¥2.531979

+10:

¥1.521746

+100:

¥0.694377

+500:

¥0.574168

+1000:

¥0.452691

库存: 0

货期:7~10 天

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DTD114ECHZGT116参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN - 预偏压 + 二极管
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): -
电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 50mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值): -
频率 - 跃迁: 200 MHz
功率 - 最大值: 200 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SST3
温度: