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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DTA043EUBTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.770528 +5000：￥0.428098	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 5mA，10V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 150mV 500µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-85 供应商器件封装： UMT3F 温度：

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DTA043EUBTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F 下载数据手册双极晶体管	+20：￥0.148278 +200：￥0.116804 +600：￥0.099319	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 5mA，10V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 150mV 500µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-85 供应商器件封装： UMT3F 温度：

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	DTA043EUBTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.29645	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 5mA，10V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 150mV 500µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-85 供应商器件封装： UMT3F 温度：

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	DTA043EUBTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F 下载数据手册	+1：￥0.861984 +100：￥0.49824 +1500：￥0.315792 +3000：￥0.228384	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 5mA，10V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 150mV 500µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-85 供应商器件封装： UMT3F 温度：

自营国内现货

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	DTA043EUBTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.286832 +6000：￥0.266039 +9000：￥0.220599 +30000：￥0.216744 +75000：￥0.194667	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 5mA，10V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 150mV 500µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-85 供应商器件封装： UMT3F 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DTA043EUBTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.701665 +6000：￥0.650801 +9000：￥0.539643 +30000：￥0.530213 +75000：￥0.476206	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 5mA，10V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 150mV 500µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-85 供应商器件封装： UMT3F 温度：
	DTA043EUBTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F 下载数据手册双极晶体管	+1：￥4.1434 +10：￥2.857517 +100：￥1.397328 +500：￥1.165012 +1000：￥0.809535	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： Out of Bounds 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-85 供应商器件封装： UMT3F
	DTA043EUBTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F 下载数据手册双极晶体管	+1：￥4.1434 +10：￥2.857517 +100：￥1.397328 +500：￥1.165012 +1000：￥0.809535	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： Out of Bounds 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-85 供应商器件封装： UMT3F

Mouser

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	DTA043EUBTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F 下载数据手册晶体管	+1：￥4.73653 +10：￥3.266572 +100：￥1.339296 +1000：￥0.930974 +3000：￥0.718648	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 5mA，10V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 150mV 500µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-85 供应商器件封装： UMT3F 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DTA043EUBTL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+50：￥0.24885 +100：￥0.22579 +200：￥0.1912 +500：￥0.182552 +1000：￥0.172946	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DTA043EUBTL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50 V
电阻器 - 基极 (R1):	4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):	4.7 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	20 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	150mV 500µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	-
频率 - 跃迁:	250 MHz
功率 - 最大值:	200 mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SC-85
供应商器件封装:	UMT3F
温度: