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DTB143ECHZGT116_双极晶体管
DTB143ECHZGT116
授权代理品牌

-500MA/-50V DIGITAL TRANSISTOR (

双极晶体管

+5:

¥2.571613

+50:

¥1.714328

+150:

¥1.428647

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压 + 二极管

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): -

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 4.7 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 47 50mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 200 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SST3

温度:

自营 国内现货
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DTB143ECHZGT116_双极晶体管
授权代理品牌

-500MA/-50V DIGITAL TRANSISTOR (

双极晶体管

+3000:

¥0.233339

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压 + 二极管

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): -

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 4.7 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 47 50mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 200 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SST3

温度:

Digi-Key
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DTB143ECHZGT116_双极晶体管
授权代理品牌

-500MA/-50V DIGITAL TRANSISTOR (

双极晶体管

+3000:

¥0.57081

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压 + 二极管

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): -

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 4.7 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 47 50mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 200 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SST3

温度:

DTB143ECHZGT116_双极晶体管
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-500MA/-50V DIGITAL TRANSISTOR (

双极晶体管

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¥3.11686

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¥2.592661

+25:

¥2.170468

+100:

¥1.059732

+250:

¥1.042731

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

晶体管类型: PNP - Pre-Biased + Diode

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: SST3

DTB143ECHZGT116_双极晶体管
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-500MA/-50V DIGITAL TRANSISTOR (

双极晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

晶体管类型: PNP - Pre-Biased + Diode

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: SST3

Mouser
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DTB143ECHZGT116_未分类
DTB143ECHZGT116
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-500MA/-50V DIGITAL TRANSISTOR (

未分类

+1:

¥3.976145

+10:

¥3.237718

+100:

¥1.718262

+500:

¥1.136041

+1000:

¥0.781028

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压 + 二极管

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): -

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 4.7 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 47 50mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 200 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SST3

温度:

DTB143ECHZGT116参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP - 预偏压 + 二极管
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): -
电阻器 - 基极 (R1): 4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 4.7 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 47 50mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值): -
频率 - 跃迁: 200 MHz
功率 - 最大值: 200 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SST3
温度: