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	DTC124EEBTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F 下载数据手册双极晶体管	+20：￥0.3267 +200：￥0.2178 +600：￥0.1815	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-89，SOT-490 供应商器件封装： EMT3F（SOT-416FL）温度：

自营现货库存

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	DTC124EEBTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F 下载数据手册双极晶体管	+20：￥0.184016 +200：￥0.144786 +600：￥0.122932	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-89，SOT-490 供应商器件封装： EMT3F（SOT-416FL）温度：

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	DTC124EEBTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.166012	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-89，SOT-490 供应商器件封装： EMT3F（SOT-416FL）温度：

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	DTC124EEBTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F 下载数据手册	+1：￥0.902736 +100：￥0.521712 +1500：￥0.330768 +3000：￥0.239184	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-89，SOT-490 供应商器件封装： EMT3F（SOT-416FL）温度：

自营国内现货

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	DTC124EEBTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F 下载数据手册双极晶体管	+10：￥0.16349 +100：￥0.125314 +300：￥0.118301 +1000：￥0.11129 +5000：￥0.108173	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-89，SOT-490 供应商器件封装： EMT3F（SOT-416FL）温度：

Digi-Key

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	DTC124EEBTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.701903 +6000：￥0.628162 +9000：￥0.590527 +15000：￥0.548304 +21000：￥0.523213	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-89，SOT-490 供应商器件封装： EMT3F（SOT-416FL）温度：
	DTC124EEBTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F 下载数据手册双极晶体管	+1：￥3.518686 +10：￥2.126511 +100：￥1.314154	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-89, SOT-490 供应商器件封装： EMT3F (SOT-416FL)
	DTC124EEBTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F 下载数据手册双极晶体管	+1：￥3.518686 +10：￥2.126511 +100：￥1.314154	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-89, SOT-490 供应商器件封装： EMT3F (SOT-416FL)

Mouser

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	DTC124EEBTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F 下载数据手册晶体管	+1：￥3.15075 +10：￥2.006531 +100：￥1.326632 +3000：￥0.6799 +9000：￥0.56382	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-89，SOT-490 供应商器件封装： EMT3F（SOT-416FL）温度：

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	DTC124EEBTL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R 下载数据手册未分类	+944：￥0.78809 +1000：￥0.762508	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DTC124EEBTL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	30 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50 V
电阻器 - 基极 (R1):	22 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):	22 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	56 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	250 MHz
功率 - 最大值:	150 mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SC-89，SOT-490
供应商器件封装:	EMT3F（SOT-416FL）
温度: