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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTA123JEBTL_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3F

双极晶体管

+3000:

¥0.260723

+6000:

¥0.241859

+9000:

¥0.200566

+30000:

¥0.197003

+75000:

¥0.176969

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-89,SOT-490

供应商器件封装: EMT3F(SOT-416FL)

温度:

Digi-Key
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DTA123JEBTL_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3F

双极晶体管

+3000:

¥0.637798

+6000:

¥0.59165

+9000:

¥0.490636

+30000:

¥0.481921

+75000:

¥0.432914

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-89,SOT-490

供应商器件封装: EMT3F(SOT-416FL)

温度:

DTA123JEBTL_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3F

双极晶体管

+1:

¥3.857648

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: Out of Bounds

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-89, SOT-490

供应商器件封装: EMT3F (SOT-416FL)

DTA123JEBTL_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3F

双极晶体管

+1:

¥3.857648

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: Out of Bounds

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-89, SOT-490

供应商器件封装: EMT3F (SOT-416FL)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTA123JEBTL_未分类
DTA123JEBTL
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3F

未分类

+1:

¥3.103243

+10:

¥2.172271

+100:

¥1.486291

+1000:

¥0.849309

+3000:

¥0.669648

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-89,SOT-490

供应商器件封装: EMT3F(SOT-416FL)

温度:

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DTA123JEBTL_未分类
DTA123JEBTL
授权代理品牌
+50:

¥0.279978

+100:

¥0.254002

+200:

¥0.215517

+500:

¥0.205897

+1000:

¥0.194351

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

DTA123JEBTL参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250 MHz
功率 - 最大值: 150 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-89,SOT-490
供应商器件封装: EMT3F(SOT-416FL)
温度: