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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTB513ZETL_双极晶体管
DTB513ZETL
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

双极晶体管

+1:

¥0.528165

+200:

¥0.440198

+500:

¥0.35211

+1000:

¥0.293425

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V

电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 140 100mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 260 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-75,SOT-416

供应商器件封装: EMT3

温度:

自营 现货库存
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DTB513ZETL_双极晶体管
DTB513ZETL
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TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

双极晶体管

+1:

¥0.542081

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¥0.209779

+500:

¥0.202406

+1000:

¥0.198763

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V

电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 140 100mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 260 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-75,SOT-416

供应商器件封装: EMT3

温度:

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DTB513ZETL_null
DTB513ZETL
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

+1:

¥3.751661

+100:

¥2.168467

+1500:

¥1.374797

+3000:

¥0.993946

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V

电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 140 100mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 260 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-75,SOT-416

供应商器件封装: EMT3

温度:

自营 国内现货
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DTB513ZETL_双极晶体管
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TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

双极晶体管

+3000:

¥0.620367

+6000:

¥0.585948

+15000:

¥0.534231

+30000:

¥0.499754

+75000:

¥0.448036

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V

电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 140 100mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 260 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-75,SOT-416

供应商器件封装: EMT3

温度:

Digi-Key
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DTB513ZETL_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

双极晶体管

+3000:

¥1.517581

+6000:

¥1.433384

+15000:

¥1.306869

+30000:

¥1.222528

+75000:

¥1.096015

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V

电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 140 100mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 260 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-75,SOT-416

供应商器件封装: EMT3

温度:

DTB513ZETL_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

双极晶体管

+1:

¥6.764633

+10:

¥5.138245

+100:

¥3.203847

+500:

¥2.192029

+1000:

¥1.686266

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: Out of Bounds

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-75, SOT-416

供应商器件封装: EMT3

DTB513ZETL_双极晶体管
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TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

双极晶体管

+1:

¥6.764633

+10:

¥5.138245

+100:

¥3.203847

+500:

¥2.192029

+1000:

¥1.686266

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: Out of Bounds

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-75, SOT-416

供应商器件封装: EMT3

Mouser
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DTB513ZETL_未分类
DTB513ZETL
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TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

未分类

+1:

¥7.89749

+10:

¥5.890211

+100:

¥3.010919

+1000:

¥1.990827

+3000:

¥1.628859

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V

电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 140 100mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 260 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-75,SOT-416

供应商器件封装: EMT3

温度:

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DTB513ZETL_未分类
DTB513ZETL
授权代理品牌

Trans Digital BJT PNP 12V 500mA 3-Pin EMT T/R

未分类

+406:

¥0.663641

+500:

¥0.662795

+1000:

¥0.575717

+2000:

¥0.548666

+12000:

¥0.503014

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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DTB513ZETL_未分类
DTB513ZETL
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DIGITAL TRANSISTOR, -12V, -0.5A

未分类

+5:

¥3.300681

+100:

¥2.054508

+500:

¥1.414578

+1000:

¥1.08226

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

DTB513ZETL参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V
电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 140 100mA,2V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 260 MHz
功率 - 最大值: 150 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-75,SOT-416
供应商器件封装: EMT3
温度: