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DTC124EUBTL_双极晶体管
DTC124EUBTL
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F

双极晶体管

+20:

¥0.36542

+200:

¥0.243694

+600:

¥0.203038

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Not For New Designs

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度:

自营 现货库存
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DTC124EUBTL_未分类
DTC124EUBTL
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F

未分类

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¥0.226077

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¥0.184485

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¥0.161378

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Not For New Designs

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度:

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DTC124EUBTL_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F

双极晶体管

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Not For New Designs

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度:

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DTC124EUBTL_null
DTC124EUBTL
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F

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¥0.29088

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Not For New Designs

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度:

Digi-Key
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TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F

双极晶体管

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¥0.237012

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¥0.182433

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¥0.172408

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¥0.162383

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¥0.157929

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货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

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晶体管类型: NPN - Pre-Biased

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

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双极晶体管

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系列: -

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安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

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双极晶体管

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晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

Mouser
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晶体管

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货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Not For New Designs

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

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DTC124EUBTL参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Not For New Designs
晶体管类型: NPN - Pre-Biased
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 22 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA, 5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250 MHz
功率 - 最大值: 200 mW
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: SC-85
供应商器件封装: UMT3F
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