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	DTD113ECHZGT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.299844 +200：￥0.119654 +500：￥0.115719 +1000：￥0.113753	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压 + 二极管电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： - 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 1 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 33 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SST3 温度：

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	DTD113ECHZGT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI 下载数据手册双极晶体管	+1：￥1.307405	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压 + 二极管电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： - 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 1 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 33 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SST3 温度：

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	DTD113ECHZGT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI 下载数据手册未分类	+1：￥1.297989 +100：￥0.736108 +1000：￥0.450476 +3000：￥0.340544	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压 + 二极管电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： - 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 1 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 33 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SST3 温度：
	DTD113ECHZGT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI 下载数据手册未分类	+500：￥0.408317 +1000：￥0.369424 +2000：￥0.340228	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压 + 二极管电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： - 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 1 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 33 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SST3 温度：
	DTD113ECHZGT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI 下载数据手册未分类	+65：￥2.074471 +100：￥1.088852 +500：￥0.720502 +1000：￥0.491023 +3000：￥0.461529	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压 + 二极管电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： - 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 1 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 33 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SST3 温度：

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	DTD113ECHZGT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI 下载数据手册	+1：￥1.866758 +100：￥1.058573 +1000：￥0.647827 +3000：￥0.489715	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压 + 二极管电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： - 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 1 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 33 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SST3 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DTD113ECHZGT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.646674 +6000：￥0.577983 +9000：￥0.542948 +15000：￥0.50348 +21000：￥0.480225	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压 + 二极管电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： - 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 1 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 33 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SST3 温度：
	DTD113ECHZGT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI 下载数据手册双极晶体管	+1：￥3.212713 +10：￥1.958226 +100：￥1.217771 +500：￥0.889157 +1000：￥0.782525	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 晶体管类型： NPN - Pre-Biased + Diode 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SST3
	DTD113ECHZGT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI 下载数据手册双极晶体管	+1：￥3.212713 +10：￥1.958226 +100：￥1.217771 +500：￥0.889157 +1000：￥0.782525	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 晶体管类型： NPN - Pre-Biased + Diode 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SST3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DTD113ECHZGT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI 下载数据手册未分类	+1：￥2.819092 +10：￥1.840702 +100：￥0.829145 +1000：￥0.729648 +3000：￥0.596985	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压 + 二极管电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： - 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 1 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 33 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SST3 温度：

DTD113ECHZGT116参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
晶体管类型:	NPN - 预偏压 + 二极管
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	500 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	-
电阻器 - 基极 (R1):	1 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):	1 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	33 50mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 2.5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	-
频率 - 跃迁:	200 MHz
功率 - 最大值:	200 mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装:	SST3
温度: