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	DTC123JETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.154362 +30：￥0.148849 +100：￥0.143337 +500：￥0.132312 +1000：￥0.126799	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

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	DTC123JETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+20：￥0.879428 +100：￥0.594715 +800：￥0.198198 +3000：￥0.111925 +6000：￥0.106238	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

自营现货库存

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	DTC123JETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册未分类	+20：￥0.18801 +200：￥0.17075 +600：￥0.161162	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

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	DTC123JETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.418176	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

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	DTC123JETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+10：￥0.21254 +100：￥0.182211 +300：￥0.159405 +1000：￥0.134285 +5000：￥0.127571	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：
	DTC123JETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.796098 +200：￥0.265906 +1500：￥0.166583 +3000：￥0.114489 +45000：￥0.114026	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

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	DTC123JETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+400：￥0.649901 +500：￥0.649901 +1000：￥0.649901 +2000：￥0.649901 +4000：￥0.609293	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

自营国内现货

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	DTC123JETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.29362 +6000：￥0.264415 +9000：￥0.250155	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DTC123JETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.718271 +6000：￥0.646828 +9000：￥0.611945	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：
	DTC123JETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥4.895563 +10：￥2.983234 +100：￥1.866433 +500：￥1.380244 +1000：￥1.222667	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-75, SOT-416 供应商器件封装： EMT3

DTC123JETL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50 V
电阻器 - 基极 (R1):	2.2 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):	47 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	80 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	250 MHz
功率 - 最大值:	150 mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SC-75，SOT-416
供应商器件封装:	EMT3
温度: