品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 150mV 500µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）

频率 - 跃迁： 250 MHz

功率 - 最大值： 150 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： VMT3

温度：

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 150mV 500µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）

频率 - 跃迁： 250 MHz

功率 - 最大值： 150 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： VMT3

温度：

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 150mV 500µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）

频率 - 跃迁： 250 MHz

功率 - 最大值： 150 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： VMT3

温度：

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 150mV 500µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）

频率 - 跃迁： 250 MHz

功率 - 最大值： 150 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： VMT3

温度：

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 150mV 500µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）

频率 - 跃迁： 250 MHz

功率 - 最大值： 150 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： VMT3

温度：

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 150mV 500µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）

频率 - 跃迁： 250 MHz

功率 - 最大值： 150 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： VMT3

温度：