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	DTC114EU3HZGT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	DTC114EU3HZG IS A DIGITAL TRANSI 下载数据手册双极晶体管	+20：￥0.475288 +100：￥0.321376 +800：￥0.23595 +3000：￥0.170973 +6000：￥0.162382	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： UMT3 温度：

自营现货库存

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	DTC114EU3HZGT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	DTC114EU3HZG IS A DIGITAL TRANSI 下载数据手册双极晶体管	+5：￥0.526363 +50：￥0.464623 +150：￥0.433752	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： UMT3 温度：

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	DTC114EU3HZGT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	DTC114EU3HZG IS A DIGITAL TRANSI 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.47432	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： UMT3 温度：

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	DTC114EU3HZGT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	DTC114EU3HZG IS A DIGITAL TRANSI 下载数据手册	+1：￥1.248768 +100：￥0.708048 +1000：￥0.433296 +3000：￥0.3276	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： UMT3 温度：

自营国内现货

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	DTC114EU3HZGT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	DTC114EU3HZG IS A DIGITAL TRANSI 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.370742 +6000：￥0.343871 +9000：￥0.285205 +30000：￥0.280163 +75000：￥0.25163	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： UMT3 温度：

Digi-Key

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	DTC114EU3HZGT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	DTC114EU3HZG IS A DIGITAL TRANSI 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.906934 +6000：￥0.841201 +9000：￥0.697687 +30000：￥0.685352 +75000：￥0.615555	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： UMT3 温度：
	DTC114EU3HZGT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	DTC114EU3HZG IS A DIGITAL TRANSI 下载数据手册双极晶体管	+1：￥5.369046 +10：￥3.700289 +100：￥1.805162 +500：￥1.505945 +1000：￥1.046383	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： UMT3
	DTC114EU3HZGT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	DTC114EU3HZG IS A DIGITAL TRANSI 下载数据手册双极晶体管	+1：￥5.369046 +10：￥3.700289 +100：￥1.805162 +500：￥1.505945 +1000：￥1.046383	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： UMT3

Mouser

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	DTC114EU3HZGT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	DTC114EU3HZG IS A DIGITAL TRANSI 下载数据手册未分类	+1：￥6.043158 +10：￥4.16488 +100：￥1.698618 +1000：￥1.192299 +3000：￥0.947307	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： UMT3 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DTC114EU3HZGT106 ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+50：￥0.577769 +100：￥0.433088 +200：￥0.432129 +500：￥0.36889 +1000：￥0.366976	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DTC114EU3HZGT106参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
晶体管类型:	NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50 V
电阻器 - 基极 (R1):	10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):	10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	30 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	250 MHz
功率 - 最大值:	200 mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SC-70，SOT-323
供应商器件封装:	UMT3
温度: