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DTC144WUAT106_双极晶体管
DTC144WUAT106
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

双极晶体管

+3000:

¥0.513766

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¥0.285439

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 47 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

温度:

自营 现货库存
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DTC144WUAT106_未分类
DTC144WUAT106
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TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

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¥0.553129

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¥0.380288

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¥0.352634

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 47 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

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DTC144WUAT106_双极晶体管
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TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

双极晶体管

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 47 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

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DTC144WUAT106
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TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

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¥0.9972

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¥0.565488

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¥0.346032

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¥0.261648

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 47 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

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自营 国内现货
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TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

双极晶体管

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¥0.27242

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¥0.246904

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¥0.233708

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¥0.218824

+21000:

¥0.209881

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 47 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

温度:

Digi-Key
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DTC144WUAT106_双极晶体管
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TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

双极晶体管

+3000:

¥0.755906

+6000:

¥0.677425

+9000:

¥0.637341

+15000:

¥0.592363

+21000:

¥0.565593

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 47 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

温度:

DTC144WUAT106_双极晶体管
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双极晶体管

+1:

¥3.671673

+10:

¥2.264198

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¥1.409005

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¥1.033271

+1000:

¥0.911493

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: UMT3

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双极晶体管

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¥3.671673

+10:

¥2.264198

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¥1.409005

+500:

¥1.033271

+1000:

¥0.911493

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: UMT3

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
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+1:

¥3.316579

+10:

¥2.139193

+100:

¥0.961809

+1000:

¥0.862311

+3000:

¥0.663316

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 47 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
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DTC144WUAT106
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¥0.385003

+100:

¥0.197861

+200:

¥0.196887

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¥0.191039

+1000:

¥0.177394

库存: 0

货期:7~10 天

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DTC144WUAT106参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 47 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250 MHz
功率 - 最大值: 200 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-70,SOT-323
供应商器件封装: UMT3
温度: