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	DTA115EUAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 下载数据手册双极晶体管	+20：￥0.650736 +100：￥0.530064 +300：￥0.436464 +800：￥0.355392 +3000：￥0.271152	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 20 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 100 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 100 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 82 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： UMT3 温度：

自营现货库存

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	DTA115EUAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 下载数据手册未分类	+10：￥0.251439 +100：￥0.222517 +300：￥0.217952 +1000：￥0.199905	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 20 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 100 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 100 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 82 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： UMT3 温度：

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	DTA115EUAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥1.256948	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 20 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 100 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 100 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 82 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： UMT3 温度：

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	DTA115EUAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 下载数据手册未分类	+1：￥0.999078 +100：￥0.577482 +1500：￥0.366051 +3000：￥0.264658	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 20 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 100 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 100 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 82 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： UMT3 温度：
	DTA115EUAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 下载数据手册未分类	+736：￥0.342126 +2000：￥0.256542	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 20 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 100 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 100 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 82 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： UMT3 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DTA115EUAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 下载数据手册	+1：￥1.218672 +100：￥0.704448 +1500：￥0.446544 +3000：￥0.322848	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 20 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 100 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 100 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 82 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： UMT3 温度：

自营国内现货

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	DTA115EUAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.377294	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 20 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 100 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 100 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 82 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： UMT3 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DTA115EUAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.651964	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 20 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 100 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 100 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 82 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： UMT3 温度：
	DTA115EUAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥3.524779 +10：￥2.86844 +100：￥1.524163 +500：￥1.002739	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： Out of Bounds 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： UMT3
	DTA115EUAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 下载数据手册双极晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： Out of Bounds 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： UMT3

DTA115EUAT106参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	20 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50 V
电阻器 - 基极 (R1):	100 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):	100 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	82 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	250 MHz
功率 - 最大值:	200 mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SC-70，SOT-323
供应商器件封装:	UMT3
温度: