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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTC113ZU3T106_null
DTC113ZU3T106
授权代理品牌

DTC113ZU3 IS AN DIGITAL TRANSIST

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¥1.040544

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¥0.589968

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¥0.361152

+3000:

¥0.273024

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 33 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

温度:

Digi-Key
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DTC113ZU3T106_双极晶体管
授权代理品牌

DTC113ZU3 IS AN DIGITAL TRANSIST

双极晶体管

+3000:

¥0.423707

+6000:

¥0.393082

+9000:

¥0.326006

+30000:

¥0.320185

+75000:

¥0.28766

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 33 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

温度:

DTC113ZU3T106_双极晶体管
授权代理品牌

DTC113ZU3 IS AN DIGITAL TRANSIST

双极晶体管

+1:

¥2.531101

+10:

¥1.733806

+100:

¥0.844122

+500:

¥0.703646

+1000:

¥0.488882

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: UMT3

DTC113ZU3T106_双极晶体管
授权代理品牌

DTC113ZU3 IS AN DIGITAL TRANSIST

双极晶体管

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¥2.531101

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¥1.733806

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¥0.844122

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¥0.703646

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¥0.488882

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: UMT3

Mouser
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DTC113ZU3T106_晶体管
DTC113ZU3T106
授权代理品牌

DTC113ZU3 IS AN DIGITAL TRANSIST

晶体管

+1:

¥3.313474

+10:

¥2.698114

+100:

¥1.435838

+500:

¥0.946708

+1000:

¥0.646918

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 33 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

温度:

DTC113ZU3T106参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 33 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): -
频率 - 跃迁: 250 MHz
功率 - 最大值: 200 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-70,SOT-323
供应商器件封装: UMT3
温度: