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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTA114WUAT106_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

双极晶体管

+3000:

¥0.358742

+6000:

¥0.311927

+15000:

¥0.265111

+30000:

¥0.249528

+75000:

¥0.233945

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 4.7 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 24 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTA114WUAT106_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

双极晶体管

+3000:

¥0.619906

+6000:

¥0.539008

+15000:

¥0.458111

+30000:

¥0.431184

+75000:

¥0.404256

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 4.7 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 24 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

温度:

DTA114WUAT106_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

双极晶体管

+1:

¥3.467032

+10:

¥2.819852

+100:

¥1.493135

+500:

¥0.982096

+1000:

¥0.667751

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: Out of Bounds

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: UMT3

DTA114WUAT106_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

双极晶体管

+1:

¥3.467032

+10:

¥2.819852

+100:

¥1.493135

+500:

¥0.982096

+1000:

¥0.667751

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: Out of Bounds

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: UMT3

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTA114WUAT106_未分类
DTA114WUAT106
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

未分类

+1:

¥4.10767

+10:

¥3.325888

+100:

¥1.762323

+500:

¥1.166048

+1000:

¥0.795033

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 4.7 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 24 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

温度:

DTA114WUAT106参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 4.7 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 24 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250 MHz
功率 - 最大值: 200 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-70,SOT-323
供应商器件封装: UMT3
温度: