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自营 现货库存
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DTC114YUBTL_双极晶体管
DTC114YUBTL
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F

双极晶体管

+1:

¥0.375982

+200:

¥0.15002

+500:

¥0.145006

+1000:

¥0.142529

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 70 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTC114YUBTL_null
DTC114YUBTL
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F

+1:

¥1.173557

+100:

¥0.678226

+1500:

¥0.429998

+3000:

¥0.310939

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 70 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度:

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTC114YUBTL_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F

双极晶体管

+3000:

¥0.195543

+6000:

¥0.181409

+9000:

¥0.150454

+30000:

¥0.147767

+75000:

¥0.132756

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 70 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTC114YUBTL_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F

双极晶体管

+3000:

¥0.478349

+6000:

¥0.443772

+9000:

¥0.368048

+30000:

¥0.361477

+75000:

¥0.324757

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 70 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度:

DTC114YUBTL_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F

双极晶体管

+1:

¥2.857517

+10:

¥1.957399

+100:

¥0.952983

+500:

¥0.794391

+1000:

¥0.551929

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

DTC114YUBTL_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F

双极晶体管

+1:

¥2.857517

+10:

¥1.957399

+100:

¥0.952983

+500:

¥0.794391

+1000:

¥0.551929

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTC114YUBTL_晶体管
DTC114YUBTL
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F

晶体管

+1:

¥3.4299

+10:

¥2.237602

+100:

¥1.126968

+1000:

¥0.669648

+3000:

¥0.538985

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 70 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTC114YUBTL_未分类
DTC114YUBTL
授权代理品牌

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R

未分类

+1429:

¥0.212446

+2000:

¥0.209536

+3000:

¥0.190135

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
DTC114YUBTL_未分类
DTC114YUBTL
授权代理品牌

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R

未分类

+893:

¥0.82068

+1000:

¥0.793517

+2500:

¥0.770235

+5000:

¥0.749864

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTC114YUBTL_未分类
DTC114YUBTL
授权代理品牌
+50:

¥0.242457

+100:

¥0.220329

+200:

¥0.186653

+500:

¥0.177995

+1000:

¥0.168373

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

DTC114YUBTL参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 不适用于新设计
晶体管类型: NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 70 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250 MHz
功率 - 最大值: 200 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-85
供应商器件封装: UMT3F
温度: