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	DDTB113ZC-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 下载数据手册双极晶体管	+20：￥1.005984 +100：￥0.819504 +200：￥0.674784 +500：￥0.549648 +3000：￥0.419184	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 温度：

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	DDTB113ZC-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.319584 +150：￥0.227354 +1500：￥0.190572 +3000：￥0.164704 +18000：￥0.162084	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 温度：

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	DDTB113ZC-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.315975 +6000：￥0.274805 +15000：￥0.233562 +30000：￥0.219815 +75000：￥0.206067	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 温度：

Digi-Key

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	DDTB113ZC-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.546004 +6000：￥0.474862 +15000：￥0.403596 +30000：￥0.37984 +75000：￥0.356084	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 温度：
	DDTB113ZC-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥3.109355 +10：￥2.549671 +100：￥1.353192 +500：￥0.890272 +1000：￥0.605454	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： Out of Bounds 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3
	DDTB113ZC-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥3.109355 +10：￥2.549671 +100：￥1.353192 +500：￥0.890272 +1000：￥0.605454	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： Out of Bounds 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3

Mouser

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	DDTB113ZC-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥4.111422 +10：￥3.415643 +100：￥1.818514 +500：￥1.201801 +1000：￥0.822284	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 温度：

DDTB113ZC-7-F参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	500 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50 V
电阻器 - 基极 (R1):	1 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):	10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	56 50mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 2.5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	200 MHz
功率 - 最大值:	200 mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装:	SOT-23-3
温度: