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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DTD113ZCHZGT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI 下载数据手册	+1：￥0.55959 +10：￥0.463359 +30：￥0.415243 +100：￥0.379157 +500：￥0.350288	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压 + 二极管电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： - 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 82 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SST3 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DTD113ZCHZGT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI 下载数据手册双极晶体管	+1：￥1.199836	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压 + 二极管电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： - 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 82 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SST3 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DTD113ZCHZGT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI 下载数据手册	+1：￥1.560672 +100：￥0.88488 +1000：￥0.541584 +3000：￥0.409392	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压 + 二极管电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： - 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 82 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SST3 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DTD113ZCHZGT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.527108	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压 + 二极管电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： - 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 82 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SST3 温度：
	DTD113ZCHZGT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI 下载数据手册双极晶体管	+1：￥2.965446 +10：￥2.397068 +25：￥2.001676 +100：￥0.978598 +250：￥0.963276	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 晶体管类型： NPN - Pre-Biased + Diode 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SST3
	DTD113ZCHZGT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI 下载数据手册双极晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 晶体管类型： NPN - Pre-Biased + Diode 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SST3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DTD113ZCHZGT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压 + 二极管电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： - 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 82 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SST3 温度：

DTD113ZCHZGT116参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
晶体管类型:	NPN - 预偏压 + 二极管
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	500 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	-
电阻器 - 基极 (R1):	1 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):	10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	82 50mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 2.5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	-
频率 - 跃迁:	200 MHz
功率 - 最大值:	200 mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装:	SST3
温度: