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搜索 DTC124EMT2L 共 14 条相关记录
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DTC124EMT2L_双极晶体管
DTC124EMT2L
Rohm Semiconductor(罗姆)
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TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

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双极晶体管
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￥0.423137

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￥0.315205

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￥0.24321

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￥0.180048

+16000：

￥0.170973

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250 MHz

功率 - 最大值： 150 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： VMT3

温度：

自营 现货库存
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DTC124EMT2L_双极晶体管
DTC124EMT2L
Rohm Semiconductor(罗姆)
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TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

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双极晶体管
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￥3.551363

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￥2.611618

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￥2.251018

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￥2.098036

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250 MHz

功率 - 最大值： 150 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： VMT3

温度：

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DTC124EMT2L_双极晶体管
DTC124EMT2L
Rohm Semiconductor(罗姆)
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TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

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双极晶体管
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国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250 MHz

功率 - 最大值： 150 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： VMT3

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DTC124EMT2L_null
DTC124EMT2L
Rohm Semiconductor(罗姆)
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TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
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￥1.174464

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￥0.744624

+4000：

￥0.504864

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￥0.36504

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250 MHz

功率 - 最大值： 150 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： VMT3

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自营 国内现货
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双极晶体管
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￥0.605509

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￥0.383947

+4000：

￥0.260321

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￥0.188224

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250 MHz

功率 - 最大值： 150 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： VMT3

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双极晶体管
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￥1.093854

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￥0.999156

+24000：

￥0.95081

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￥0.896654

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￥0.864527

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250 MHz

功率 - 最大值： 150 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： VMT3

温度：

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双极晶体管
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￥5.813481

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￥3.610477

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￥2.268788

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￥1.686523

+1000：

￥1.498501

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货期：7~10 天

系列： -

晶体管类型： NPN - Pre-Biased

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SOT-723

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双极晶体管
+1：

￥5.813481

+10：

￥3.610477

+100：

￥2.268788

+500：

￥1.686523

+1000：

￥1.498501

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货期：7~10 天

系列： -

晶体管类型： NPN - Pre-Biased

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： VMT3

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
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￥4.477381

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￥3.067836

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￥1.591958

+1000：

￥1.293467

+2500：

￥1.061306

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250 MHz

功率 - 最大值： 150 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： VMT3

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DTC124EMT2L_未分类
DTC124EMT2L
ROHM(罗姆)
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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R

未分类
+1516：

￥0.474232

+2500：

￥0.460457

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货期：7~10 天

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DTC124EMT2L参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 30 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 22 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 56 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 300mV 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA
频率 - 跃迁: 250 MHz
功率 - 最大值: 150 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-723
供应商器件封装: VMT3
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