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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTA115EKAT146_双极晶体管
DTA115EKAT146
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

双极晶体管

+10:

¥0.46222

+100:

¥0.385143

+300:

¥0.308066

+3000:

¥0.256762

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 100 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 100 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SMT3

温度:

自营 现货库存
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DTA115EKAT146_null
DTA115EKAT146
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

+10:

¥0.365954

+100:

¥0.299626

+300:

¥0.266406

+3000:

¥0.241493

+6000:

¥0.221606

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 100 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 100 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SMT3

温度:

自营 国内现货
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DTA115EKAT146_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

双极晶体管

+3000:

¥0.260255

+6000:

¥0.241424

+9000:

¥0.200204

+30000:

¥0.196649

+75000:

¥0.176651

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 100 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 100 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SMT3

温度:

Digi-Key
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DTA115EKAT146_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

双极晶体管

+3000:

¥0.701903

+6000:

¥0.628162

+9000:

¥0.590527

+15000:

¥0.548304

+21000:

¥0.523213

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 100 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 100 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SMT3

温度:

DTA115EKAT146_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

双极晶体管

+1:

¥3.518686

+10:

¥2.126511

+100:

¥1.314154

+500:

¥0.961979

+1000:

¥0.847698

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: Out of Bounds

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: SMT3

DTA115EKAT146_双极晶体管
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TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

双极晶体管

+1:

¥3.518686

+10:

¥2.126511

+100:

¥1.314154

+500:

¥0.961979

+1000:

¥0.847698

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: Out of Bounds

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: SMT3

Mouser
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DTA115EKAT146_未分类
DTA115EKAT146
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

未分类

+1:

¥3.15075

+10:

¥1.873867

+100:

¥0.862311

+1000:

¥0.713064

+3000:

¥0.547235

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 100 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 100 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SMT3

温度:

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DTA115EKAT146_未分类
DTA115EKAT146
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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R

未分类

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¥0.517524

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
DTA115EKAT146_未分类
DTA115EKAT146
授权代理品牌

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R

未分类

+667:

¥0.461441

+1000:

¥0.42307

+2000:

¥0.381747

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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DTA115EKAT146_未分类
DTA115EKAT146
授权代理品牌
+50:

¥0.881119

+100:

¥0.40547

+500:

¥0.365508

+1000:

¥0.335293

+2000:

¥0.302153

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

DTA115EKAT146参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 100 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 100 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250 MHz
功率 - 最大值: 200 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SMT3
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