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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DTA124EKAT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.1721 +30：￥0.165948 +100：￥0.159808 +500：￥0.147515 +1000：￥0.141363	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： PNP - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度：

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	DTA124EKAT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	数字晶体管 DTA124EKAT146 SOT-23 下载数据手册双极晶体管	+100：￥0.249139 +500：￥0.18634 +1000：￥0.144474 +3000：￥0.104665 +15000：￥0.094259	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： PNP - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度：

自营现货库存

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	DTA124EKAT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 下载数据手册未分类	+10：￥0.214477 +100：￥0.18883 +300：￥0.184782 +1000：￥0.178706	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： PNP - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度：

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	DTA124EKAT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.166012	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： PNP - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度：

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	DTA124EKAT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 下载数据手册	+1：￥1.262477 +100：￥0.71591 +1000：￥0.438048 +3000：￥0.331258	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： PNP - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度：

Digi-Key

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	DTA124EKAT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.685892 +6000：￥0.596429 +15000：￥0.506963 +30000：￥0.477142 +75000：￥0.447321	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： PNP - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度：
	DTA124EKAT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥3.798006 +10：￥3.108739 +100：￥1.651431 +500：￥1.086512 +1000：￥0.738924	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： Out of Bounds 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3
	DTA124EKAT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥3.798006 +10：￥3.108739 +100：￥1.651431 +500：￥1.086512 +1000：￥0.738924	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： Out of Bounds 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DTA124EKAT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 下载数据手册未分类	+1：￥4.502475 +10：￥3.666301 +100：￥1.945713 +500：￥1.286422 +1000：￥0.884415	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： PNP - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 5mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度：

DTA124EKAT146参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
晶体管类型:	PNP - Pre-Biased
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	30 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50 V
电阻器 - 基极 (R1):	22 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):	22 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	56 5mA, 5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	250 MHz
功率 - 最大值:	200 mW
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装:	SMT3
温度: