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	DTC143ZUBTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.131275 +10：￥0.126413 +100：￥0.114738 +500：￥0.108905	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-85 供应商器件封装： UMT3F 温度：

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	DTC143ZUBTL EVER OHMS(天二科技) 授权代理品牌	数字晶体管 DTC143ZUBTL SOT323FL 下载数据手册未分类	+1：￥0.199287 +10：￥0.185977 +100：￥0.172667 +500：￥0.132858	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营现货库存

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	DTC143ZUBTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F 下载数据手册双极晶体管	+20：￥0.207214 +200：￥0.163844 +600：￥0.139749	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-85 供应商器件封装： UMT3F 温度：

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	DTC143ZUBTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.106722	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-85 供应商器件封装： UMT3F 温度：

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	DTC143ZUBTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F 下载数据手册	+1：￥0.657504 +100：￥0.35113 +3000：￥0.253843	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-85 供应商器件封装： UMT3F 温度：

自营国内现货

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	DTC143ZUBTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.162539 +6000：￥0.144965 +9000：￥0.13596 +15000：￥0.125828 +21000：￥0.119825	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-85 供应商器件封装： UMT3F 温度：

Digi-Key

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	DTC143ZUBTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.397612 +6000：￥0.354623 +9000：￥0.332594 +15000：￥0.307809 +21000：￥0.293123	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-85 供应商器件封装： UMT3F 温度：
	DTC143ZUBTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F 下载数据手册双极晶体管	+1：￥2.906741 +10：￥1.744044 +100：￥1.072435 +500：￥0.781149 +1000：￥0.686451	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-85 供应商器件封装： UMT3F
	DTC143ZUBTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F 下载数据手册双极晶体管	+1：￥2.906741 +10：￥1.744044 +100：￥1.072435 +500：￥0.781149 +1000：￥0.686451	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-85 供应商器件封装： UMT3F

Mouser

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	DTC143ZUBTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F 下载数据手册未分类	+1：￥3.15075 +10：￥1.890451 +100：￥0.862311 +1000：￥0.746232 +3000：￥0.431156	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-85 供应商器件封装： UMT3F 温度：

DTC143ZUBTL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	不适用于新设计
晶体管类型:	NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50 V
电阻器 - 基极 (R1):	4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):	47 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	80 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	250 MHz
功率 - 最大值:	200 mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SC-85
供应商器件封装:	UMT3F
温度: