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DTC115EMT2L_双极晶体管
DTC115EMT2L
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

双极晶体管

+20:

¥0.50457

+100:

¥0.34122

+1000:

¥0.25047

+8000:

¥0.1815

+16000:

¥0.172425

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 100 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 100 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA, 5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度:

自营 国内现货
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DTC115EMT2L_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

双极晶体管

+8000:

¥0.430945

+16000:

¥0.38305

+24000:

¥0.359131

+56000:

¥0.338803

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 100 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 100 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA, 5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度:

Digi-Key
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DTC115EMT2L_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

双极晶体管

+8000:

¥1.054205

+16000:

¥0.937041

+24000:

¥0.878528

+56000:

¥0.828802

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 100 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 100 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA, 5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度:

DTC115EMT2L_双极晶体管
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TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

双极晶体管

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¥6.233719

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¥4.689457

+100:

¥2.653582

+500:

¥1.757059

+1000:

¥1.347049

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

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双极晶体管

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¥0.628458

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

Mouser
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DTC115EMT2L_晶体管
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晶体管

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货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 100 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 100 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA, 5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度:

DTC115EMT2L参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
晶体管类型: NPN - Pre-Biased
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 100 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 100 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 5mA, 5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA, 5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250 MHz
功率 - 最大值: 150 mW
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: SOT-723
供应商器件封装: VMT3
温度: