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	DTA123EUAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 下载数据手册双极晶体管	+20：￥0.29887 +200：￥0.2541 +600：￥0.209209 +3000：￥0.186824 +9000：￥0.17182	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 2.2 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： UMT3 温度：

自营现货库存

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	DTA123EUAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 下载数据手册双极晶体管	+20：￥0.222122 +200：￥0.17915 +600：￥0.155276 +3000：￥0.120323 +9000：￥0.107908	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 2.2 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： UMT3 温度：

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	DTA123EUAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.201586	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 2.2 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： UMT3 温度：

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	DTA123EUAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.175033 +6000：￥0.172139 +9000：￥0.169245 +12000：￥0.166235	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 2.2 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： UMT3 温度：

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	DTA123EUAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 下载数据手册	+1：￥1.207152 +100：￥0.69768 +1500：￥0.442368 +3000：￥0.319824	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 2.2 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： UMT3 温度：

自营国内现货

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	DTA123EUAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.25091 +6000：￥0.218192 +15000：￥0.185474 +30000：￥0.174532 +75000：￥0.163644	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 2.2 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： UMT3 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DTA123EUAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.613792 +6000：￥0.533754 +15000：￥0.453718 +30000：￥0.426952 +75000：￥0.400317	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 2.2 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： UMT3 温度：
	DTA123EUAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥3.445289 +10：￥2.782733 +100：￥1.477499 +500：￥0.972367 +1000：￥0.661231	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： Out of Bounds 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： UMT3
	DTA123EUAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥3.445289 +10：￥2.782733 +100：￥1.477499 +500：￥0.972367 +1000：￥0.661231	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： Out of Bounds 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： UMT3

Mouser

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	DTA123EUAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 下载数据手册未分类	+1：￥3.648237 +10：￥2.222109 +100：￥1.011558 +3000：￥0.912061 +9000：￥0.79598	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 2.2 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： UMT3 温度：

DTA123EUAT106参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50 V
电阻器 - 基极 (R1):	2.2 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):	2.2 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	20 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	250 MHz
功率 - 最大值:	200 mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SC-70，SOT-323
供应商器件封装:	UMT3
温度: