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	DTB543EETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+20：￥1.347264 +100：￥1.145232 +300：￥0.943056 +800：￥0.77472 +3000：￥0.673632	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 12 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 115 100mA，2V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 260 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

自营现货库存

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	DTB543EETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.549997 +200：￥0.212843 +500：￥0.205362 +1000：￥0.201667	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 12 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 115 100mA，2V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 260 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

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	DTB543EETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.343882	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 12 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 115 100mA，2V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 260 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

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	DTB543EETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 下载数据手册未分类	+1：￥1.036063 +30：￥0.342387 +100：￥0.282896 +500：￥0.267081 +1500：￥0.25713	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 12 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 115 100mA，2V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 260 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

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	DTB543EETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 下载数据手册	+1：￥3.1896 +100：￥1.843632 +1500：￥1.168848 +3000：￥0.844992	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 12 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 115 100mA，2V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 260 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

自营国内现货

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	DTB543EETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.716997 +6000：￥0.700989 +9000：￥0.620874 +30000：￥0.61287 +75000：￥0.520712	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 12 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 115 100mA，2V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 260 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DTB543EETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥1.238969 +6000：￥1.211306 +9000：￥1.072868 +30000：￥1.059036 +75000：￥0.899789	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 12 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 115 100mA，2V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 260 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：
	DTB543EETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥5.607323 +10：￥3.97497 +100：￥2.007422 +500：￥1.778893 +1000：￥1.384386	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： Out of Bounds 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-75, SOT-416 供应商器件封装： EMT3
	DTB543EETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥5.607323 +10：￥3.97497 +100：￥2.007422 +500：￥1.778893 +1000：￥1.384386	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： Out of Bounds 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-75, SOT-416 供应商器件封装： EMT3

Mouser

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	DTB543EETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 下载数据手册未分类	+1：￥7.129285 +10：￥5.053872 +100：￥2.26553 +1000：￥1.7744 +3000：￥1.600128	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 12 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 115 100mA，2V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 260 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

DTB543EETL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	500 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	12 V
电阻器 - 基极 (R1):	4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):	4.7 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	115 100mA，2V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	260 MHz
功率 - 最大值:	150 mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SC-75，SOT-416
供应商器件封装:	EMT3
温度: