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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DXTP5840CFDB-7_双极性晶体管
DXTP5840CFDB-7
授权代理品牌

PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020

双极性晶体管

+10:

¥5.683104

+100:

¥4.629312

+200:

¥3.712896

+500:

¥3.315168

+800:

¥3.077136

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 4.8 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 370mV 30mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 250 10mA,2V

功率 - 最大值: 690 mW

频率 - 跃迁: 135MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 3-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: U-DFN2020-3(B 类)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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DXTP5840CFDB-7_双极性晶体管
授权代理品牌

PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020

双极性晶体管

+3000:

¥1.837589

+6000:

¥1.659784

+15000:

¥1.54129

+30000:

¥1.505705

+75000:

¥1.458258

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 4.8 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 370mV 30mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 250 10mA,2V

功率 - 最大值: 690 mW

频率 - 跃迁: 135MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 3-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: U-DFN2020-3(B 类)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DXTP5840CFDB-7_双极性晶体管
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PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020

双极性晶体管

+1:

¥5.18953

+10:

¥4.448168

+25:

¥4.151624

+100:

¥3.082828

+250:

¥2.928378

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 3-UDFN Exposed Pad

供应商器件封装: U-DFN2020-3 (Type B)

DXTP5840CFDB-7_双极性晶体管
授权代理品牌

PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020

双极性晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 3-UDFN Exposed Pad

供应商器件封装: U-DFN2020-3 (Type B)

Mouser
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DXTP5840CFDB-7_晶体管
DXTP5840CFDB-7
授权代理品牌

PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020

晶体管

+:

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 4.8 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 370mV 30mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 250 10mA,2V

功率 - 最大值: 690 mW

频率 - 跃迁: 135MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 3-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: U-DFN2020-3(B 类)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DXTP5840CFDB-7参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 4.8 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 370mV 30mA,3A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 250 10mA,2V
功率 - 最大值: 690 mW
频率 - 跃迁: 135MHz
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 3-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: U-DFN2020-3(B 类)
温度: -55°C # 150°C(TJ)