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	DTC114YUAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 下载数据手册双极晶体管	+10：￥0.193612 +50：￥0.179092 +200：￥0.166992 +600：￥0.154892 +1500：￥0.145212	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 70 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： UMT3 温度：

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	DTC114YUAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 下载数据手册双极晶体管	+100：￥0.215856 +1000：￥0.158256 +3000：￥0.119952	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 70 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： UMT3 温度：

自营现货库存

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	DTC114YUAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 下载数据手册未分类	+20：￥0.174017 +200：￥0.149922 +600：￥0.136537	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 70 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： UMT3 温度：

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	DTC114YUAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.201586	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 70 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： UMT3 温度：

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	DTC114YUAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 下载数据手册	+1：￥1.172304 +100：￥0.677664 +1500：￥0.429552 +3000：￥0.310608	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 70 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： UMT3 温度：

自营国内现货

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	DTC114YUAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.305822 +6000：￥0.283684 +9000：￥0.235226 +30000：￥0.231116 +75000：￥0.207607	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 70 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： UMT3 温度：

Digi-Key

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	DTC114YUAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.528461 +6000：￥0.490206 +9000：￥0.40647 +30000：￥0.399367 +75000：￥0.358745	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 70 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： UMT3 温度：
	DTC114YUAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥3.11518 +10：￥2.155705 +100：￥1.051685 +500：￥0.877486 +1000：￥0.609703	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： UMT3
	DTC114YUAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥3.11518 +10：￥2.155705 +100：￥1.051685 +500：￥0.877486 +1000：￥0.609703	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： UMT3

Mouser

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	DTC114YUAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 下载数据手册双极晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 70 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： UMT3 温度：

DTC114YUAT106参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	70 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50 V
电阻器 - 基极 (R1):	10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):	47 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	68 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	250 MHz
功率 - 最大值:	200 mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SC-70，SOT-323
供应商器件封装:	UMT3
温度: