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自营 国内现货
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DTD143TKT146_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

双极晶体管

+3000:

¥0.855506

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 50mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 200 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SMT3

温度:

Digi-Key
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DTD143TKT146_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

双极晶体管

+3000:

¥1.478312

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 50mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 200 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SMT3

温度:

DTD143TKT146_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

双极晶体管

+1:

¥4.958884

+10:

¥3.967108

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: SMT3

DTD143TKT146_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

双极晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: SMT3

Mouser
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DTD143TKT146_未分类
DTD143TKT146
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

未分类

+1:

¥6.087478

+10:

¥4.949383

+100:

¥3.37458

+500:

¥2.527626

+1000:

¥1.905645

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 50mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 200 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SMT3

温度:

DTD143TKT146参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V
电阻器 - 基极 (R1): 4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): -
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 50mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)
频率 - 跃迁: 200 MHz
功率 - 最大值: 200 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SMT3
温度: