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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTC124XMT2L_双极晶体管
DTC124XMT2L
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

双极晶体管

+1:

¥0.611712

+200:

¥0.50976

+500:

¥0.407808

+1000:

¥0.33984

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度:

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DTC124XMT2L_null
DTC124XMT2L
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

+1:

¥2.048976

+100:

¥1.184256

+1000:

¥0.750816

+4000:

¥0.50904

+8000:

¥0.368064

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度:

自营 国内现货
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DTC124XMT2L_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

双极晶体管

+8000:

¥0.47751

+16000:

¥0.424453

+24000:

¥0.397926

+56000:

¥0.375401

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度:

Digi-Key
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DTC124XMT2L_双极晶体管
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TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

双极晶体管

+8000:

¥0.825134

+16000:

¥0.733454

+24000:

¥0.687614

+56000:

¥0.648691

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度:

DTC124XMT2L_双极晶体管
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TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

双极晶体管

+1:

¥4.942408

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¥3.669738

+100:

¥2.077048

+500:

¥1.375225

+1000:

¥1.054339

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

DTC124XMT2L_双极晶体管
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TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

双极晶体管

+1:

¥2.254024

+100:

¥1.302768

+1000:

¥0.825953

+4000:

¥0.559981

+8000:

¥0.404897

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

Mouser
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DTC124XMT2L_晶体管
DTC124XMT2L
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度:

DTC124XMT2L参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 22 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250 MHz
功率 - 最大值: 150 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-723
供应商器件封装: VMT3
温度: