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DTC023JEBTL_双极晶体管
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TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F

双极晶体管

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 500µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-89,SOT-490

供应商器件封装: EMT3F(SOT-416FL)

温度:

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DTC023JEBTL_双极晶体管
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双极晶体管

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品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 500µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-89,SOT-490

供应商器件封装: EMT3F(SOT-416FL)

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DTC023JEBTL
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品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

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电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

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不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V

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频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-89,SOT-490

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晶体管类型: NPN - 预偏压

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不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 500µA,5mA

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功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-89,SOT-490

供应商器件封装: EMT3F(SOT-416FL)

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晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V

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电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

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封装/外壳: SC-89,SOT-490

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电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

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功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-89,SOT-490

供应商器件封装: EMT3F(SOT-416FL)

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不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 500µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

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电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

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晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 500µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250 MHz

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封装/外壳: SC-89,SOT-490

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DTC023JEBTL参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 500µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): -
频率 - 跃迁: 250 MHz
功率 - 最大值: 150 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-89,SOT-490
供应商器件封装: EMT3F(SOT-416FL)
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