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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DTC114ECAT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥7.98336 +10：￥5.32224 +30：￥4.4352	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SST3 温度：

自营现货库存

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	DTC114ECAT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥2.84109 +10：￥2.546054 +30：￥2.393072	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SST3 温度：

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	DTC114ECAT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3 下载数据手册	+1：￥1.707264 +100：￥0.986688 +1500：￥0.625536 +3000：￥0.45239	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SST3 温度：

自营国内现货

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	DTC114ECAT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.696854 +6000：￥0.65816 +15000：￥0.600083 +30000：￥0.561388 +75000：￥0.503312	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SST3 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DTC114ECAT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥1.20416 +6000：￥1.137299 +15000：￥1.036942 +30000：￥0.970078 +75000：￥0.869722	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SST3 温度：
	DTC114ECAT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥5.374044 +10：￥4.086774 +100：￥2.542049 +500：￥1.739442 +1000：￥1.338012	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SST3
	DTC114ECAT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥5.374044 +10：￥4.086774 +100：￥2.542049 +500：￥1.739442 +1000：￥1.338012	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SST3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DTC114ECAT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3 下载数据手册未分类	+1：￥6.965043 +10：￥5.176293 +100：￥2.62772 +1000：￥1.709601 +3000：￥1.456328	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SST3 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DTC114ECAT116 ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+50：￥0.469482 +100：￥0.352112 +200：￥0.351181 +500：￥0.299946 +1000：￥0.298084	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DTC114ECAT116 ROHM(罗姆) 授权代理品牌	DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A 下载数据手册未分类	+5：￥4.281357 +10：￥3.182091 +100：￥1.64312 +500：￥1.295982 +1000：￥0.932642	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DTC114ECAT116参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
晶体管类型:	NPN - Pre-Biased
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	50 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50 V
电阻器 - 基极 (R1):	10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):	10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	30 5mA, 5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	250 MHz
功率 - 最大值:	200 mW
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装:	SST3
温度: