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	DTC123YETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.125332 +30：￥0.120856 +100：￥0.11638 +500：￥0.107428 +1000：￥0.102951	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 33 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

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	DTC123YETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+100：￥0.332629 +500：￥0.224939 +1000：￥0.165165 +3000：￥0.119669 +6000：￥0.11374	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 33 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

自营现货库存

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	DTC123YETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 33 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

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	DTC123YETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.142296	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 33 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

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	DTC123YETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥1.046725 +200：￥0.349603 +1500：￥0.217749 +3000：￥0.150607 +45000：￥0.149681	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 33 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

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	DTC123YETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册	+1：￥1.293408 +100：￥0.747504 +1500：￥0.473904 +3000：￥0.34272	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 33 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

自营国内现货

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	DTC123YETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.606241 +6000：￥0.592701 +9000：￥0.52494 +30000：￥0.518171 +75000：￥0.440287	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 33 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

Digi-Key

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	DTC123YETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥1.483025 +6000：￥1.449903 +9000：￥1.284143 +30000：￥1.267582 +75000：￥1.077059	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 33 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：
	DTC123YETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥6.655188 +10：￥4.766973 +100：￥2.402059 +500：￥2.129352 +1000：￥1.656988	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-75, SOT-416 供应商器件封装： EMT3
	DTC123YETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥6.655188 +10：￥4.766973 +100：￥2.402059 +500：￥2.129352 +1000：￥1.656988	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-75, SOT-416 供应商器件封装： EMT3

DTC123YETL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50 V
电阻器 - 基极 (R1):	2.2 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):	10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	33 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	250 MHz
功率 - 最大值:	150 mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SC-75，SOT-416
供应商器件封装:	EMT3
温度: