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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTC114GU3T106_双极晶体管
DTC114GU3T106
授权代理品牌

DTC114GU3 IS AN DIGITAL TRANSIST

双极晶体管

+1:

¥0.375982

+200:

¥0.15002

+500:

¥0.145006

+1000:

¥0.142529

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): -

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

温度:

Digi-Key
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DTC114GU3T106_双极晶体管
授权代理品牌

DTC114GU3 IS AN DIGITAL TRANSIST

双极晶体管

+3000:

¥0.518108

+6000:

¥0.450527

+15000:

¥0.382949

+30000:

¥0.360422

+75000:

¥0.337895

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): -

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

温度:

DTC114GU3T106_双极晶体管
授权代理品牌

DTC114GU3 IS AN DIGITAL TRANSIST

双极晶体管

+1:

¥2.975184

+10:

¥2.42265

+100:

¥1.28358

+500:

¥0.844669

+1000:

¥0.574351

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: UMT3

DTC114GU3T106_双极晶体管
授权代理品牌

DTC114GU3 IS AN DIGITAL TRANSIST

双极晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: UMT3

Mouser
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DTC114GU3T106_晶体管
DTC114GU3T106
授权代理品牌

DTC114GU3 IS AN DIGITAL TRANSIST

晶体管

+1:

¥3.472561

+10:

¥2.827658

+100:

¥1.504778

+500:

¥0.992161

+1000:

¥0.677976

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): -

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

温度:

DTC114GU3T106参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
电阻器 - 基极 (R1): -
电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)
频率 - 跃迁: 250 MHz
功率 - 最大值: 200 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-70,SOT-323
供应商器件封装: UMT3
温度: