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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTA113ZMT2L_双极晶体管
DTA113ZMT2L
授权代理品牌

DTA113ZM IS AN DIGITAL TRANSISTO

双极晶体管

+1:

¥0.251317

+200:

¥0.209451

+500:

¥0.167585

+1000:

¥0.139634

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 33 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度:

自营 现货库存
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DTA113ZMT2L_双极晶体管
DTA113ZMT2L
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DTA113ZM IS AN DIGITAL TRANSISTO

双极晶体管

+1:

¥0.257997

+200:

¥0.099842

+500:

¥0.096333

+1000:

¥0.0946

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 33 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度:

Digi-Key
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DTA113ZMT2L_双极晶体管
授权代理品牌

DTA113ZM IS AN DIGITAL TRANSISTO

双极晶体管

+8000:

¥0.779738

+16000:

¥0.64662

+24000:

¥0.635176

+56000:

¥0.570572

+200000:

¥0.494525

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 33 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度:

DTA113ZMT2L_双极晶体管
授权代理品牌

DTA113ZM IS AN DIGITAL TRANSISTO

双极晶体管

+1:

¥4.92496

+10:

¥3.432987

+100:

¥1.673038

+500:

¥1.396083

+1000:

¥0.969928

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: Out of Bounds

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

DTA113ZMT2L_双极晶体管
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DTA113ZM IS AN DIGITAL TRANSISTO

双极晶体管

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¥4.92496

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¥3.432987

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¥1.673038

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¥1.396083

+1000:

¥0.969928

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: Out of Bounds

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

Mouser
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DTA113ZMT2L_未分类
DTA113ZMT2L
授权代理品牌

DTA113ZM IS AN DIGITAL TRANSISTO

未分类

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¥5.629944

+10:

¥3.924402

+100:

¥1.606191

+1000:

¥0.960403

+2500:

¥0.894169

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 33 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度:

DTA113ZMT2L参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 33 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250 MHz
功率 - 最大值: 150 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-723
供应商器件封装: VMT3
温度: