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	DTC114EKAT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 下载数据手册双极晶体管	+5：￥0.143325 +50：￥0.121275 +150：￥0.115763 +500：￥0.11025 +1000：￥0.102533	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度：

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	DTC114EKAT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	数字晶体管 DTC114EKAT146 SOT-23 下载数据手册双极晶体管	+100：￥0.348117 +500：￥0.235224 +1000：￥0.172425 +3000：￥0.125598 +6000：￥0.119306	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度：

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	DTC114EKAT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.163713	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度：

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	DTC114EKAT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.078333 +10：￥0.076279 +50：￥0.074876 +100：￥0.074227 +1000：￥0.073471	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度：
	DTC114EKAT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.089461 +9000：￥0.085464 +15000：￥0.083843 +30000：￥0.081358	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度：
	DTC114EKAT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.097241 +6000：￥0.09562 +9000：￥0.093999 +12000：￥0.092379	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度：
	DTC114EKAT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.104048 +9000：￥0.099293 +15000：￥0.097457 +30000：￥0.09454	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度：
	DTC114EKAT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.686125 +200：￥0.227705 +1500：￥0.142504 +3000：￥0.113216 +45000：￥0.112637	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度：
	DTC114EKAT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.18184 +6000：￥0.177302 +9000：￥0.174169 +12000：￥0.174169	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度：
	DTC114EKAT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.100266 +6000：￥0.097673 +9000：￥0.09508	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度：

DTC114EKAT146参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	50 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50 V
电阻器 - 基极 (R1):	10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):	10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	30 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	250 MHz
功率 - 最大值:	200 mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装:	SMT3
温度: